[Схемотехника, Производство и разработка электроники, Научно-популярное] Дисульфид молибдена назвали ключом в уменьшении двумерных транзисторов

Автор Сообщение
news_bot ®

Стаж: 6 лет 9 месяцев
Сообщений: 27286

Создавать темы news_bot ® написал(а)
15-Май-2021 22:30

Международная команда исследователей заявила о создании новых двумерных транзисторов из полуметалла дисульфида молибдена. Толщина элементов составляет от одного до нескольких атомов. Транзисторы — радиоэлектронные компоненты из полупроводникового материала, необходимые для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов в электронике. Гонка за уменьшением размера транзисторов стала ключом в развитии современной вычислительной техники.
Двумерные транзисторы от Университета Юты. Фото: Дан ХиксонСреди всех перспективных технических изысков в последние годы оборот набирают 2D-транзисторы, которые уменьшают толщину электронных устройств. В 2016 году в Университете Юты в США прошли испытания первых двумерных транзисторов на основе монооксида олова. Использование этого полуметалла снизило стоимость схемы и уменьшило высоту транзистора до размера атома. Кроме того, новые транзисторы быстрее кремниевых и меньше нагреваются при работе.12 мая этого года международная команда исследователей заявила о создании нового способа изготовления 2D-транзисторов из дисульфида молибдена — химического соединения серы и металла молибдена из семейства дихалькогенидов. Интерфейс между металлами и полупроводниковыми материалами создает состояние зазора, вызванное металлом, что приводит к образованию барьера Шоттки. Полуметалл в сочетании с выравниванием энергии между двумя материалами устранил эту проблему.Двумерный дисульфид молибдена снижает длину канала с 5—10 нанометров в современных передовых чипах до субнанометрового масштаба. Это ключевой параметр для минимизации электронных устройств. Сейчас изучается множество переходных материалов из семейства дихалькогенидов, но фундаментальным исследованиям мешает проблема достижения контакта этих материалов с металлами с низким сопротивлением. Существующие методы соединения имеют высокое сопротивление, и сигналы, необходимые для отслеживания поведения электронов в материале, слишком слабые, чтобы пройти через них. С двумерным материалом исследователи надеются обойти ограничения по минимизации транзисторов, благодаря чему уменьшится и размер готовых устройств. Они продолжают изучать полуметаллы и искать новые соединения, которые обеспечат работоспособные электрические контакты с другими типами носителей заряда. Требуются дальнейшие исследования, чтобы понять, как масштабировать и внедрить двумерные материалы на коммерческом уровне. Но, по словам исследователей, многие области физики уже могут извлечь выгоду из открытия. Материалы о создании транзисторов из дисульфида молибдена опубликованы в статье «Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors» на сайте Nature. DOI: 10.1038/s41586-021-03472-9
===========
Источник:
habr.com
===========

Похожие новости: Теги для поиска: #_shemotehnika (Схемотехника), #_proizvodstvo_i_razrabotka_elektroniki (Производство и разработка электроники), #_nauchnopopuljarnoe (Научно-популярное), #_elektronika (электроника), #_tranzistor (транзистор), #_tranzistory (транзисторы), #_mikroelektronika (микроэлектроника), #_shemotehnika (
Схемотехника
)
, #_proizvodstvo_i_razrabotka_elektroniki (
Производство и разработка электроники
)
, #_nauchnopopuljarnoe (
Научно-популярное
)
Профиль  ЛС 
Показать сообщения:     

Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете голосовать в опросах
Вы не можете прикреплять файлы к сообщениям
Вы не можете скачивать файлы

Текущее время: 22-Ноя 18:10
Часовой пояс: UTC + 5