[Реверс-инжиниринг] Смотрим полевой транзистор IRF4905 фирмы International Rectifier с технологией HEXFET 5-ого поколения
Автор
Сообщение
news_bot ®
Стаж: 6 лет 2 месяца
Сообщений: 27286
На плате некоторого устройства N сгорел транзистор IRF4905, да так, что треснул, поэтому появилась возможность взглянуть на его внутреннее устройство.
Характеристики IRF4905 согласно документации: Р-канальный полевой транзистор. Постоянный ток при 20 С – 74 А, пульсирующий ток до 260 А. Сопротивление в открытом состоянии – 0.02 Ом. Низкое сопротивление достигается технологией HEXFET, суть которой состоит в том, что полевой транзистор это не один транзистор, а множество (сотни тысяч) маленьких полевых транзисторов, включенных параллельно.
Максимальная рассеивающая мощность транзистора – 200 Вт. В доказательство таких больших показателей – прогаревший текстолит и треснувший транзистор (держался до последнего).
Сам кристалл имеет площадь 24 мм2. Толщина кристалла 0,3 мм. Напаян на эвтектику.
Разварка выполнена алюминиевой проволокой. На ней виден желтоватый налет – это нагар. Управляющий электрод имеет диаметр около 50 мкм, а три толстые проволоки диаметром 0.5 мм каждая. На толстой проволоке виден след от инструмента разварки.
Схематично технология HEXFET компании International Rectifier выглядит так:
По документации транзистор IRF4905 реализуется на пятом поколении технологии HEXFET.
Фотографии можно открыть в новом окне и посмотреть более детально. С каждым фото приближение ближе для понимания масштабов погружения.
~100X приближение
~200х приближение
~400 Х приближение
~1000х приближение
Вот так выглядит верхняя топология матрицы полевых транзисторов.
Попробовал стравить верхний слой металлизации с помощью персульфата аммония. Получилось грязновато, но зато стали видны четкие контуры шестиугольной формы. Приблизительные размеры шестиугольников – 5-7 мкм (это 5000-7000 нм).
Спасибо за внимание.
===========
Источник:
habr.com
===========
Похожие новости:
- [Реверс-инжиниринг] Как спрятать мусор в базе Spotify и превратить это в квест
- [Информационная безопасность, Разработка под iOS, Разработка под Android, Реверс-инжиниринг, Аналитика мобильных приложений] Домофоны, СКУД… И снова здравствуйте
- [Виртуализация, Реверс-инжиниринг] Сброс блокировки с устройств Teradici PCoIP Zero Client
- [Информационная безопасность, Реверс-инжиниринг] Руткиты на основе BIOS. Часть 3 (перевод)
- [Реверс-инжиниринг, Умный дом] Исследование протокола системы контроля давления воздуха в шинах автомобиля (TPMS)
- [Информационная безопасность, Реверс-инжиниринг] Уязвимость Use-After-Free (перевод)
- [Информационная безопасность, IT-инфраструктура, Реверс-инжиниринг, Исследования и прогнозы в IT] Тайны файла подкачки pagefile.sys: полезные артефакты для компьютерного криминалиста
- [Информационная безопасность, Реверс-инжиниринг, Программирование микроконтроллеров, Производство и разработка электроники] Реверс embedded: трассировка кода через SPI-flash
- [Разработка мобильных приложений, Реверс-инжиниринг] Декомпилируем приложение xiaomi сканер и забираем результат сканирования
- [Информационная безопасность, Реверс-инжиниринг] Руткиты на основе BIOS. Часть 2 (перевод)
Теги для поиска: #_reversinzhiniring (Реверс-инжиниринг), #_hexfet, #_irf4905, #_kristall_tranzistora (кристалл транзистора), #_reversinzhiniring (
Реверс-инжиниринг
)
Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете голосовать в опросах
Вы не можете прикреплять файлы к сообщениям
Вы не можете скачивать файлы
Текущее время: 28-Апр 13:52
Часовой пояс: UTC + 5
| Автор | Сообщение |
|---|---|
|
news_bot ®
Стаж: 6 лет 2 месяца |
|
 На плате некоторого устройства N сгорел транзистор IRF4905, да так, что треснул, поэтому появилась возможность взглянуть на его внутреннее устройство. Характеристики IRF4905 согласно документации: Р-канальный полевой транзистор. Постоянный ток при 20 С – 74 А, пульсирующий ток до 260 А. Сопротивление в открытом состоянии – 0.02 Ом. Низкое сопротивление достигается технологией HEXFET, суть которой состоит в том, что полевой транзистор это не один транзистор, а множество (сотни тысяч) маленьких полевых транзисторов, включенных параллельно. Максимальная рассеивающая мощность транзистора – 200 Вт. В доказательство таких больших показателей – прогаревший текстолит и треснувший транзистор (держался до последнего).  Сам кристалл имеет площадь 24 мм2. Толщина кристалла 0,3 мм. Напаян на эвтектику.  Разварка выполнена алюминиевой проволокой. На ней виден желтоватый налет – это нагар. Управляющий электрод имеет диаметр около 50 мкм, а три толстые проволоки диаметром 0.5 мм каждая. На толстой проволоке виден след от инструмента разварки.  Схематично технология HEXFET компании International Rectifier выглядит так:  По документации транзистор IRF4905 реализуется на пятом поколении технологии HEXFET. Фотографии можно открыть в новом окне и посмотреть более детально. С каждым фото приближение ближе для понимания масштабов погружения. ~100X приближение  ~200х приближение  ~400 Х приближение  ~1000х приближение  Вот так выглядит верхняя топология матрицы полевых транзисторов. Попробовал стравить верхний слой металлизации с помощью персульфата аммония. Получилось грязновато, но зато стали видны четкие контуры шестиугольной формы. Приблизительные размеры шестиугольников – 5-7 мкм (это 5000-7000 нм).  Спасибо за внимание. =========== Источник: habr.com =========== Похожие новости:
Реверс-инжиниринг ) |
|
Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете голосовать в опросах
Вы не можете прикреплять файлы к сообщениям
Вы не можете скачивать файлы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете голосовать в опросах
Вы не можете прикреплять файлы к сообщениям
Вы не можете скачивать файлы
Текущее время: 28-Апр 13:52
Часовой пояс: UTC + 5