[IT-компании, Физика, Хранение данных, Хранилища данных] В Samsung изолировали «белый графен». Решение могут использовать при создании новейшей памяти

Ответить на тему

Автор

Сообщение

news_bot ^®

Стаж: 6 лет 3 месяца
Сообщений: 27286

news_bot ^® написал(а)
08-Июл-2020 12:31

Цитировать

Исследователи из Высшего технологического института Samsung (SAIT) вместе с Национальным институтом науки и технологии Ульсана (UNIST) и Кембриджским университетом показали, как можно выйти на производство полупроводниковых изделий нового поколения. Они смогли перевести кристаллический нитрид бора в аморфную форму (a-BN). В итоге из суперпроводимой среды вышла суперизолирующая.
Нитрид бора имеет гексагональную кристаллическую структуру как у графена, но толщину в один атом. В аморфном состоянии его атомы расположены неупорядоченно, и это предотвращает распространение электронов в среде.
Ранее специалисты Samsung спроектировали транзисторы на основе графена. Их преимуществами являются высокая подвижность электронов, повышенные рабочие токи, а также хорошая масштабируемость и малый размер. Минусом же стала как раз возможность утечек тока. Это потребовало внедрения изолирующих 2D-материалов с похожими на графен характеристиками.
Нитрид бора в аморфном состоянии обладает лучшей в своем классе сверхнизкой диэлектрической проницаемостью в 1,78 при сильных электрических и механических свойствах. Он может использоваться в техпроцессах с температурой отжига менее 400 °C. Это важно для того, чтобы графеновые транзисторы не сгорели в процессе обработки пластины.
В компании пообещали, что аморфный нитрид бора будут применять в полупроводниках, в том числе в решениях DRAM и NAND. Особенно это касается памяти следующего поколения для серверов наивысшей производительности.
«В последнее время интерес к 2D-материалам и новым материалам, полученным из них, растет. Однако в их применении к существующим полупроводниковым процессам все еще остается много проблем», — отметил Сонджун Парк, вице-президент и руководитель лаборатории неорганических материалов в SAIT. — «Мы продолжим разработку новых материалов, чтобы прийти к смене парадигмы полупроводников».

См. также:

===========
Источник:
habr.com
===========
Похожие новости:

Теги для поиска: #_itkompanii (IT-компании), #_fizika (Физика), #_hranenie_dannyh (Хранение данных), #_hranilischa_dannyh (Хранилища данных), #_samsung, #_kembridzhskij_universitet (кембриджский университет), #_grafenovyj_tranzistor (графеновый транзистор), #_nitrid_bora (нитрид бора), #_poluprovodniki (полупроводники), #_itkompanii (
IT-компании
), #_fizika (
Физика
), #_hranenie_dannyh (
Хранение данных
), #_hranilischa_dannyh (
Хранилища данных
)

Профиль ЛС

Ответить на тему

Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете голосовать в опросах
Вы не можете прикреплять файлы к сообщениям
Вы не можете скачивать файлы

Текущее время: 16-Май 20:55
Часовой пояс: UTC + 5